SI2343CDS-T1-GE3
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
SI2343CDS-T1-GE3 datasheet
-
МаркировкаSI2343CDS-T1-GE3
-
ПроизводительSiliconix
-
ОписаниеSiliconix SI2343CDS-T1-GE3 RoHS: yes Transistor Polarity: P-Channel Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V Gate-Source Breakdown Voltage: +/- 20 V Continuous Drain Current: 5.9 A Resistance Drain-Source RDS (on): 0.045 Ohms Configuration: Single Maximum Operating Temperature: + 150 C Mounting Style: SMD/SMT Package / Case: TO-236-3 Forward Transconductance gFS (Max / Min): 10 S Gate Charge Qg: 13.6 nC Minimum Operating Temperature: - 55 C Power Dissipation: 2.5 W Part # Aliases: SI2343CDS-GE3
-
Количество страниц7 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
05.06.2024
04.06.2024
03.06.2024